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2N3499	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors SmallSignalTransistorsTO-39Case	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3499	文件：46.88 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N3499 Geometry 5620 Polarity NPN Chiptype2C3501bySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforswitchingandamplifierapplications.	Semicoa SEMICOA
2N3499	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chiptype2C3501bySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforswitchingandamplifierapplications.	Semicoa SEMICOA
2N3499	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N3499	文件：110.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor	Semicoa SEMICOA
2N3499	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N3499	文件：316.26 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS	CDIL CDIL
2N3499	文件：121.76 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2N3499	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 0.5A TO39	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
2N3499L	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN Chiptype2C3501bySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforswitchingandamplifierapplications.	Semicoa SEMICOA
2N3499L	文件：45.08 Kbytes Page：2 Pages	Type 2N3499L Geometry 5620 Polarity NPN Chiptype2C3501bySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforswitchingandamplifierapplications.	Semicoa SEMICOA
2N3499_04	文件：110.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor	Semicoa SEMICOA
2N3499L	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N3499L	文件：110.89 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor	Semicoa SEMICOA
2N3499L	文件：111.61 Kbytes Page：3 Pages	RADIATION HARDENED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N3499L_04	文件：110.89 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor	Semicoa SEMICOA
2N3499U4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SMALL-SIGNAL BJT	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
2N3499U4/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：3-SMD，无引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SMALL-SIGNAL BJT	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
JAN2N3499	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JAN2N3499L	文件：69.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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晶体管资料

型号：
2N3499(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC141,BC300,BSW39,2N1990,3DG84D,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>100
图片代号：
C-78
vtest：
100
htest：
150000100
atest：
.5
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N3499
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 30mA，300mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS NPN 100V 0.5A TO39

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N3499供应商更新时间2024-4-23 16:20:00

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