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2N3439P

NPN Silicon Low-Power 250V to 350V, 1A PIND Tested

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power, high voltage 2N3439, 2N3439L, 2N3439UA, 2N3439U4, 2N3439UB, 2N3440, 2N3440L, 2N3440UA, 2N3440U4 and 2N3440UB transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsula

Microchip

微芯科技

2N3439P

Package:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

Microchip

微芯科技

2N3439UA

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

文件:106.68 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JAN2N3439

NPN LOW POWER TRANSISTORS - 1

KEY FEATURES ■ JAN/JANTX/JANTXV STANDARD PRODUCTS ■ QUALIFIED PER MIL-PRF-19500/368 ■ LOW ON RESISTANCE ■ FAST SWITCHING ■ HIGH OFF ISOLATION ■ SECOND SOURCE FOR MICROSEMI ■ DESIGNED FOR HIGH-VOLTAGE LOW CURRENT INVERTERS & HIGH FREQUENCY SWITCHING WITH SMALL PACKAGE

文件:136.27 Kbytes 页数:2 Pages

Solitron

JAN2N3439

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368

文件:312.18 Kbytes 页数:6 Pages

Microsemi

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    2N3439P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/368

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 4mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 20mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N3439P供应商 更新时间2025-12-24 11:06:00