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2N3416	文件：24.91 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiers andswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.Sourced fromProcess10.SeePN100Aforcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3416	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3416	文件：58.69 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3414,MPS3414seriesdevicesaresiliconNPNtransistors,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,designedforgeneralpurposeandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3416	文件：293.39 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3416	文件：75.54 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor GeneralPurposeAmplifier Foruseasgeneralpurposeamplifiersandswitches requiringcollectorcurrentto300mA.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N3416	文件：326.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONNPNTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
ST2N3416	文件：190.86 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor GeneralPurposeAmplifier Foruseasgeneralpurposeamplifiersandswitches requiringcollectorcurrentto300mA.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

详细参数

型号：
2N3416_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N3416_Q供应商更新时间2024-5-17 10:50:00

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