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2N3055分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N3055

参数属性

2N3055 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 15A TO3

功能描述

15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

130.46 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Motorola

中文名称

摩托罗拉

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 15:20:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3055A

  • 别名:

    2N3055三极管、2N3055晶体管、2N3055晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    e-44

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    0

  • wtest:

    0

2N3055规格书详情

15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS

2N3055 (NPN) MJ2955(PNP)

designed for general–purpose switching and amplifier applications.

1. DC Current Gain — hFE= 20 – 70 @ IC= 4 Adc

2. Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)= 1.1 Vdc (Max) @ IC= 4 Adc

3. Excellent Safe Operating Area

产品属性

  • 产品编号:

    2N3055

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 15A TO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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