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2N2906CSM	文件：14.88 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2906DCSM	文件：15.05 Kbytes Page：1 Pages	DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2906E	文件：21.86 Kbytes Page：1 Pages	LaserMarking	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N2906E	文件：51.3 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCapacita	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N2906J.TX.V	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
2N2906U	文件：54.34 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
JAN2N2906A	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N2906AL	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N2906AUA	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N2906AUB	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSILICONTRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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