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2N2904A	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
2N2904A	文件：199.79 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPTransistor	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
2N2904AJ.TX.V	文件：777.48 Kbytes Page：12 Pages	MediumCurrentGeneralPurposeAmplifiersandSwitches	RAYTHEONRaytheon Company. 雷神	RAYTHEON
2N2904AL	文件：175.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPSWITCHINGSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N2904AL	文件：15.26 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO5	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2904AL	文件：57.36 Kbytes Page：2 Pages	PNPSWITCHINGSILICONTRANSISTOR PNPSWITCHINGSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/290	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N2904AUB	文件：29.38 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C2904AGeometry0600PolarityPNP Chiptype2C2904AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
2N2904CSM	文件：14.89 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2904DCSM	文件：15.05 Kbytes Page：1 Pages	DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N2904E	文件：51.64 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=50nA(Max.),IBL=50nA(Max.) @VCE=30V,VEB=3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=50mA,IB=5mA. •LowCollectorOutputCapacitance	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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