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2N2484UBC

NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 * Available to JANS quality level only.

文件:51.43 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

2N2484UBC

NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

文件:51.42 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

2N2484UBC

NPN Silicon Low-Power 60V, 0.05A

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power 2N2484 transistor. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/376. Two levels of product assurance (JANHC, JANKC) are provided for di The device packages for the encapsulated device types are as follows: (2N2484) (similar to TO-18), and surfacemount (UA, UB, UBC, UBN, and UBCN) . \nThe dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/376.;

Microchip

微芯科技

2N2484UBC

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

Microchip

微芯科技

2N2484UBC/TR

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

Microchip

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    2N2484UBC

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/376

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 100µA,1mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 1mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UBC

  • 描述:

    SMALL-SIGNAL BJT

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更多2N2484UBC供应商 更新时间2025-10-11 11:06:00