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2N1725数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

2N1725

参数属性

2N1725 封装/外壳为TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:POWER BJT

功能描述

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-61

封装外壳

TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:19:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N1725

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :50000mW

  • Maximum DC Collector Current

    :5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :80V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :1@0.2mA@2mAV

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

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