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2N1725数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

2N1725

参数属性

2N1725 封装/外壳为TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:POWER BJT

功能描述

PNP Transistor
POWER BJT

封装外壳

TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 9:30:00

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2N1725规格书详情

简介

2N1725属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2N1725晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N1725

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    3 NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    80V

  • 功率 - 最大值:

    3W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 2A, 15V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    5A

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

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