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2N1486	文件：124.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR NPNSILICONMEDIUMPOWERTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/207	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N1486	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
2N1486	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-233AA，TO-8-3 金属罐；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 55V 3A TO8	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
USA2N1486	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

晶体管资料

型号：
2N1486
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD237,BD241C,BD539C,BC937,2N3767,2SD712,3DD59D,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>35
图片代号：
D-112
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
25

产品属性

产品编号：
2N1486
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 40mA，750A
电流 - 集电极截止（最大值）：
15µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 750mA，4V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-233AA，TO-8-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-8
描述：
TRANS NPN 55V 3A TO8

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