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A2N150TW	文件：675.5 Kbytes Page：2 Pages	FORMULAULMoldedCaseCircuitBreakers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IXTH2N150	文件：146.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH2N150	文件：322 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·HighVoltagePowerSupplies ·CapacitorDischargeApplications ·PulseCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH2N150L	文件：115.54 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeGuaranteedFBSOAAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

晶体管资料

型号：
2N150A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
0.005A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.065W
放大倍数：
β=41
图片代号：
D-161
vtest：
32
htest：
999900
atest：
.005
wtest：
.065

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N150A供应商更新时间2024-5-1 13:30:00

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