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2N1485	文件：55.26 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/207 文件：55.26 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N1485	文件：124.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/207 文件：124.11 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1485	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1485	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.	Microchip 微芯科技	Microchip
2N1485	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-233AA，TO-8-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 3A TO8	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N1485
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD177,BD187,BD235,BD241A,BD439,BD535,BD539A,BD935,2N3766,3DD59C,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>35
图片代号：
D-112
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
25

产品属性

产品编号：
2N1485
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 40mA，750A
电流 - 集电极截止（最大值）：
15µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 750mA，4V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-233AA，TO-8-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-8
描述：
TRANS NPN 40V 3A TO8

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