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2N03	文件：241.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：241.39 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N0308	文件：959.94 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.94 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N03L04	文件：1.90879 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.90879 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N03L07	文件：1.01526 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01526 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N03L10	文件：960 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N03L20	文件：1.01525 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01525 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2N03L04	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS® Power-Transistor OptiMOS® Power-TransistorFeature\n• N-Channel\n• Enhancement mode\n• Logic Level\n• Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)\n• Superior thermal resistance\n• 175°C operating temperature\n• Avalanche rated\n• dv/dt rated	Infineon 英飞凌	Infineon

更多2N03供应商更新时间2025-12-11 11:03:00