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2EDS9265H数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

2EDS9265H

参数属性

2EDS9265H 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC IGBT DVR

功能描述

快速稳健的双通道加强绝缘 MOSFET 栅极驱动器,具备准确稳定时序
IC IGBT DVR

封装外壳

16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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2EDS9265H规格书详情

特性 Features


优势:
• Efficiency gain and lower losses
• Improved thermal behavior at smaller form factor
• Protection and safe operation
• Flexible configurations
• Regulatory safety

应用 Application

• Industrial SMPS
• Telecom DC-DC
• Server
• UPS
• Battery
• EV-charging
• Smart grid

简介

2EDS9265H属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的2EDS9265H栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2EDS9265HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    EiceDriver™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,SiC MOSFET

  • 电压 - 供电:

    20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    -,1.65V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,8A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    6.5ns,4.5ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    PG-DSO-16-30

  • 描述:

    IC IGBT DVR

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