2EDS7165H数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

厂商型号 |
2EDS7165H |
参数属性 | 2EDS7165H 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:DRIVER IC PG-DSO-16 |
功能描述 | 快速稳健的双通道增强隔离型 MOSFET 栅极驱动器,具备精确稳定时序 |
封装外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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2EDS7165H规格书详情
特性 Features
优势:
• Efficiency gain and lower losses
• Improved thermal behavior at smaller form factor
• Protection and safe operation
• Flexible configurations
• Regulatory safety
应用 Application
• Telecom DC-DC
• Server
• Industrial SMPS
• UPS
• Battery
• EV-Charging
• Smart Grid
简介
2EDS7165H属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的2EDS7165H栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
2EDS7165HXUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 系列:
EiceDriver™
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
-,1.65V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
6.5ns,4.5ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
PG-DSO-16-30
- 描述:
DRIVER IC PG-DSO-16
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
100048 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-DSO-16 |
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Infineon/英飞凌 |
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PG-DSO-16 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-DSO-16 |
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