2ED2304S06F中文资料集成自举二极管 (BSD) 的 650 V 半桥栅极驱动器 IC数据手册Infineon规格书

描述 Description

用于 IGBT 和 MOSFET 的650 V SOI半桥驱动器芯片，带集成自举二极管， 具有 0.36A 拉电流和 0.7A 灌电流，采用 DSO-8 封装。
 2ED2304S06F 采用英飞凌薄膜 SOI 技术，具有出众的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器的特色是具有设计用于最小驱动器交叉导通的高脉冲电流缓冲级。浮动沟道可用于驱动高边配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 650V。此外，离线箝位功能提供芯片未供电时通过浮栅条件寄生导通的固有保护。
 

特性 Features

• 英飞凌薄膜 SOI 技术
• 可在 +650V 失调电压以内正常运行
• 集成超快、低R DSON 自举二极管
• 输出拉/灌电流能力 +0.36 A/-0.7 A
• SOI 技术容许的负瞬态电压高达 -100V（脉冲宽度高达 300ns)
• 栅极驱动电源范围：10 至 20V
• 双通道独立欠压锁定
• 短传播延迟和延迟匹配（最高 60ns）
• 施密特触发器的输入，具有迟滞和下拉的模式
• 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
• DSO-8，封装符合 RoHS

优势:

简介

2ED2304S06F属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的2ED2304S06F栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。