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2DB1386Q-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
2DB1386Q-13 |
| 参数属性 | 2DB1386Q-13 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 5A SOT89-3 |
| 功能描述 | 20V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
267.13 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 23:00:00 |
| 人工找货 | 2DB1386Q-13价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2DB1386Q-13规格书详情
2DB1386Q-13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的2DB1386Q-13晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
2DB1386Q-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 100mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89-3
- 描述:
TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
12500 |
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25+ |
SOT89-3L |
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DIODES/美台 |
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