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M28C16	文件：129.1 Kbytes Page：18 Pages	16K2Kx8PARALLELEEPROMwithSOFTWAREDATAPROTECTION DESCRIPTION TheM28C16isa2Kx8lowpowerParallelEEPROMfabricatedwithSGS-THOMSONproprietarysinglepolysiliconCMOStechnology.Thedeviceoffersfastaccesstimewithlowpowerdissipationandrequiresa5Vpowersupply.Thecircuithasbeendesignedtoofferaflexiblemicrocontrolle	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M28C16A	文件：123.99 Kbytes Page：17 Pages	16K(2Kx8)LOWVOLTAGEPARALLELEEPROMwithSOFTWAREDATAPROTECTION DESCRIPTION TheM28LV16isa2Kx8lowpowerParallelEEPROMfabricatedwithSGS-THOMSONproprietarysinglepolysiliconCMOStechnology.Thedeviceoffersfastaccesstimewithlowpowerdissipationandrequiresa2.7Vto3.6Vpowersupply.Thecircuithasbeendesignedtoofferaflexiblemicroc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M28C16A	文件：134.72 Kbytes Page：19 Pages	16Kbit2Kbx8ParallelEEPROM DESCRIPTION TheM28C16AandM28C17Aare2Kx8lowpowerParallelEEPROMfabricatedwithSTMicroelectronicsproprietarysinglepolysiliconCMOStechnology.Thedeviceoffersfastaccesstimewithlowpower dissipationandrequiresa5Vor3Vpowersupply. FASTACCESSTIME: –150nsat5V	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M28C16B	文件：131.63 Kbytes Page：17 Pages	16Kbit2Kx8ParallelEEPROMWithSoftwareDataProtection DESCRIPTION TheM28C16BandM28C17Bdevicesconsistof2048x8bitsoflowpower,parallelEEPROM,fabricatedwithSTMicroelectronics’proprietarysinglepolysiliconCMOStechnology.Thedevicesofferfastaccesstime,withlowpowerdissipation,andrequireasinglevoltagesupply. ■FastA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PYA28C16	文件：667.93 Kbytes Page：10 Pages	AccessTimesof150,200,250and350nsSingle5V짹10PowerSupply	PYRAMIDPYRAMID semiconductor corporation 金字塔金字塔半导体公司	PYRAMID
PYA28C16B	文件：663.98 Kbytes Page：10 Pages	AccessTimesof150,200,250and350nsByteWriteCycleTime-10msMaximum	PYRAMIDPYRAMID semiconductor corporation 金字塔金字塔半导体公司	PYRAMID

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