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UPA2763	文件：245.25 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheμPA2763isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=23.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=21A) ⎯RDS(on)2=28.0mΩMAX.(VGS=8V,ID=21A) •LowCiss2100pFTYP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763T	文件：144.32 Kbytes Page：6 Pages	3V,WIDEBANDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2762TandUPC2763TareSiliconMonolithicintegratedcircuitswhicharemanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Theseamplifiersweredesignedfor900MHzand1.9GHzreceiversincellular,cordlessteleph	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC2763T	文件：404.53 Kbytes Page：16 Pages	3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC2763T	文件：395.2 Kbytes Page：30 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763T	文件：327.58 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
2763
制造商：
Heyco Products Corporation
类别：
五金件，紧固件，配件 > 孔插头 - 锥形盖
系列：
Heyco®
包装：
盒
类型：
壳体插头
颜色：
黑色
材料：
尼龙
孔径：
1.500"（38.10mm）
法兰直径：
1.670"（42.42mm）
面板厚度：
0.450"（11.43mm）
描述：
DP 1500 BLACK

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