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26NM60N	文件：707.63 Kbytes Page：12 Pages	型号：STF26NM60N-H；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.135 ?? 20 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220FP Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
26NM60N	文件：681.3 Kbytes Page：12 Pages	型号：STW26NM60N-H；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.135 Ω, 20 A TO-247 MDmesh™ II Power MOSFET Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description Thisseriesofdevicesimplementssecond generationMDmesh™technology.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesanew verticalstruc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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型号：STF26NM60N-H；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.135 ?? 20 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220FP

Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh

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26NM60N

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型号：STW26NM60N-H；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.135 Ω, 20 A TO-247 MDmesh™ II Power MOSFET

Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description Thisseriesofdevicesimplementssecond generationMDmesh™technology.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesanew verticalstruc

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