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2550	文件：193.67 Kbytes Page：8 Pages	型号：2STF2550；Package：SOT-89；Low voltage high performance PNP power transistors Description The2STF2550and2STN2550arePNP transistorsmanufacturedusingnew“PB-HCD” (Powerbipolarhighcurrentdensity)technology. Theresultingtransistorshowsexceptionalhigh gainperformancescoupledwithverylow saturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
2550DE	文件：1.47819 Mbytes Page：53 Pages	型号：IPS2550DE1R；Package：16-TSSOP；Inductive Position Sensor IC Features ▪Positionsensingbasedonaninductiveprinciple ▪Cost-effective;nomagnetrequired ▪Immunetomagneticstrayfields;noshieldingrequired ▪Suitableforharshenvironmentsandextremetemperatures ▪Differentialandsingle-endedsineandcosineoutputs ▪Automaticgaincontro	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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型号：2STF2550；Package：SOT-89；Low voltage high performance PNP power transistors

Description The2STF2550and2STN2550arePNP transistorsmanufacturedusingnew“PB-HCD” (Powerbipolarhighcurrentdensity)technology. Theresultingtransistorshowsexceptionalhigh gainperformancescoupledwithverylow saturationvoltage. Features ■Verylowcollector-emittersat

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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2550DE

文件：1.47819 Mbytes

Page：53 Pages

型号：IPS2550DE1R；Package：16-TSSOP；Inductive Position Sensor IC

Features ▪Positionsensingbasedonaninductiveprinciple ▪Cost-effective;nomagnetrequired ▪Immunetomagneticstrayfields;noshieldingrequired ▪Suitableforharshenvironmentsandextremetemperatures ▪Differentialandsingle-endedsineandcosineoutputs ▪Automaticgaincontro

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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