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PHB24N03LT	文件：54.87 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP24N03LTissupp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB24N03T	文件：61.82 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD24N03	文件：50.88 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability:PHD24N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompati	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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