23N50E数据手册FUJI中文资料规格书
23N50E规格书详情
描述 Description
FMH23N50E, Marking : 23N50E
特性 Features
1. Maintains both low power loss and low noise
2. Lower RDS(on) characteristic
3. More controllable switching dv/dt by gate resistance
4. Smaller VGSringing waveform during switching
5. Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)
6. High avalanche durability
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TECHBEST |
两年内 |
NA |
868 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
20+ |
TO-247 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO-3P |
150000 |
挂的就有,常备现货 |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
TO-3P |
20 |
询价 | ||||
富士通 |
2024 |
TO3P |
58209 |
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JVE |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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UTC/友顺 |
24+ |
NA |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
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FUJI |
TO-3P |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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FUJI-富士 |
25+23+ |
TO-3P |
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ST |
23+ |
TO-263 |
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