23N50E中文资料Super FAP-E3 series / N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET数据手册FUJI规格书
23N50E规格书详情
描述 Description
FMH23N50E, Marking : 23N50E
特性 Features
1. Maintains both low power loss and low noise
2. Lower RDS(on) characteristic
3. More controllable switching dv/dt by gate resistance
4. Smaller VGSringing waveform during switching
5. Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)
6. High avalanche durability
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJITSU/富士通 |
24+ |
NA/ |
3320 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
20+ |
TO-247 |
10 |
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询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
TO-3P |
20 |
询价 | ||||
富士通 |
2024 |
TO3P |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
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UTC/友顺 |
24+ |
NA |
8000 |
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FUJI-富士 |
25+23+ |
TO-3P |
30546 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
16900 |
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FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-247 |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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FUJI |
TO-3P |
68500 |
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FUJI |
18+ |
TO-3p |
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