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APM2307	文件：633.79 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmen	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2307AC-TR	文件：633.79 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-3A,RDS(ON)=100mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremely LowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmen	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
ASI2307	文件：18.28 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2307isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3000MHz. FEATURES: •PG=9.5dBmin.at7W/2300MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307Z	文件：683.76 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AUIRFR2307Z	文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AUIRFR2307Z	文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307ZTR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307ZTRL	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
2307-V-RC
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
2300
包装：
托盘
类型：
环形
材料 - 磁芯：
铁粉
容差：
±15%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
13 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，垂直（开放式）
大小 / 尺寸：
1.280" 直径 x 0.650" 宽（32.51mm x 16.51mm）
描述：
FIXED IND 33UH 11.7A 13 MOHM TH

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