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ATF22V10CQZ	文件：1.92272 Mbytes Page：19 Pages	High-performanceElectricallyErasableProgrammableLogicDevice	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10CQZ	文件：281.74 Kbytes Page：9 Pages	HighperformanceEEPLD Desscription TheATF22V10CZ/CQZisahigh-performanceCMOS(electrically-erasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizesAtmel’sprovenelectrically-erasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto12nswithzerostandbypowerdissipationareoffered.Allspeedrangesarespecifiedov	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10CZ	文件：1.92272 Mbytes Page：19 Pages	High-performanceElectricallyErasableProgrammableLogicDevice	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10CZ	文件：270.98 Kbytes Page：9 Pages	HighPerformanceE2PLD	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10CZ	文件：281.74 Kbytes Page：9 Pages	HighperformanceEEPLD Desscription TheATF22V10CZ/CQZisahigh-performanceCMOS(electrically-erasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizesAtmel’sprovenelectrically-erasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto12nswithzerostandbypowerdissipationareoffered.Allspeedrangesarespecifiedov	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATF22V10CZ	文件：280.73 Kbytes Page：20 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
GAL22V10	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
GAL22V10D	文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	GAL22V10DeviceDatasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ISPGAL22V10	文件：247.13 Kbytes Page：15 Pages	In-SystemProgrammableE2CMOSPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
LVT22V10	文件：185.19 Kbytes Page：20 Pages	3Vhighspeed,universalPLDdevice DESCRIPTION TheLVT22V10isaversatilePALdevicefabricatedonthePhilipsBiCMOSQUBiCprocess. FEATURES •Fastest3VPLD •Supports3/5Vmixedsystems •Lowgroundbounce(	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PAL22V10	文件：58.28 Kbytes Page：3 Pages	ReprogrammableCMOSPALDevice Features •Advancedsecond-generationPAL®architecture •Lowpower —55mAmax.“L” —90mAmax.standard —120mAmax.military •CMOSEPROMtechnologyforreprogrammability •Variableproductterms —2x(8through16)productterms •User-programmablemacrocell —	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PAL22V10	文件：147.23 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-PERFORMANCEIMPACT-XEPROGRAMMABLEARRAYLOGICCIRCUITS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PALC22V10	文件：58.28 Kbytes Page：3 Pages	ReprogrammableCMOSPALDevice Features •Advancedsecond-generationPAL®architecture •Lowpower —55mAmax.“L” —90mAmax.standard —120mAmax.military •CMOSEPROMtechnologyforreprogrammability •Variableproductterms —2x(8through16)productterms •User-programmablemacrocell —	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALC22V10B	文件：78.79 Kbytes Page：3 Pages	ReprogrammableCMOSPALDevice	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALC22V10D	文件：684.57 Kbytes Page：11 Pages	FLASGERASABLEREPROGRAMMABLECMOSPALDEVICE FunctionalDescription TheCypressPALC22V10DisaCMOSFlashErasablesecond-generationprogrammablearraylogicdevice.Itisimplementedwiththefamiliarsum-of-products(AND-OR)logicstructureandtheprogrammablemacrocell. Features •Advancedsecond-generationPALarchitecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALC22V10D	文件：350.2 Kbytes Page：13 Pages	Flash-erasableReprogrammableCMOSPALDevice FunctionalDescription TheCypressPALCE22V10isaCMOSFlash-erasablesecond-generationprogrammablearraylogicdevice.Itisimplementedwiththefamiliarsum-of-products(AND-OR)logicstructureandtheprogrammablemacrocell. Features •Lowpower —90mAmax.commercial(10ns) —1	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALC22V10D	文件：328.2 Kbytes Page：12 Pages	FlashErasable,ReprogrammableCMOSPAL짰Device	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALCE22V10	文件：387.03 Kbytes Page：13 Pages	FlashErasable,ReprogrammableCMOSPAL짰Device	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALCE22V10	文件：350.2 Kbytes Page：13 Pages	Flash-erasableReprogrammableCMOSPALDevice FunctionalDescription TheCypressPALCE22V10isaCMOSFlash-erasablesecond-generationprogrammablearraylogicdevice.Itisimplementedwiththefamiliarsum-of-products(AND-OR)logicstructureandtheprogrammablemacrocell. Features •Lowpower —90mAmax.commercial(10ns) —1	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
PALCE22V10	文件：691.86 Kbytes Page：34 Pages	24-PinEECMOS(ZeroPower)VersatilePALDevice GENERALDESCRIPTION ThePALCE22V10providesuser-programmablelogicforreplacingconventionalSSI/MSIgatesand flip-flopsatareducedchipcount. ThePALCE22V10ZisanadvancedPAL®devicebuiltwithzero-power,high-speed,electrically erasableCMOStechnology.Itprovidesuser-pro	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多22V10B供应商更新时间2024-5-21 16:34:00

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