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210N4LF7	文件：583.82 Kbytes Page：16 Pages	Automotive N-channel 40 V, 1.35 m typ., 120 A, STripFETTM F7 Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 package Features • AEC-Q101 qualified • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness • Wettable flank package Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced t 文件：583.82 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL210N4LF7AG	文件：583.82 Kbytes Page：16 Pages	Automotive N-channel 40 V, 1.35 m typ., 120 A, STripFETTM F7 Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 package Features • AEC-Q101 qualified • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness • Wettable flank package Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced t 文件：583.82 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
21100-464	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	SCHROFF 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	SCHROFF
21143TD	文件：0 bytes Page：0 Pages		INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
21143-TD	文件：0 bytes Page：0 Pages		INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)

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