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210N25NF	文件：1.35434 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPTG210N25NM3FD；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 250 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Fastdiode(FD)withreducedQrr •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Optimizedforhardcommutationruggedness	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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210N25NF

文件：1.35434 Mbytes

Page：11 Pages

型号：IPTG210N25NM3FD；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 250 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Fastdiode(FD)withreducedQrr •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Optimizedforhardcommutationruggedness

InfineonInfineon Technologies AG

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