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20W120G34AG	文件：203.39 Kbytes Page：12 Pages	型号：SCT020W120G3-4AG；Package：HiP247-4；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an HiP247-4 package Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) • 文件：203.39 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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型号：SCT020W120G3-4AG；Package：HiP247-4；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an HiP247-4 package

Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •

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