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APM2030NVC-TRL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NVC-TU	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2030NVC-TUL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
AV2030	文件：195.29 Kbytes Page：13 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheAVICAV2030isamonolithicaudiopoweramplifierintegratedcircuit. FEATURES Verylowexternalcomponentrequired. Highcurrentoutputandhighoperatingvoltage. Lowharmonicandcrossoverdistortion. Built-inOvertemperatureprotection. *Shortc	AVICTEKAvic Technology Avic Technology	AVICTEK
BF2030	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030	文件：16.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF2030	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030R	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030R	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030W	文件：16.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF2030W	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF2030W	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CDBD2030-G	文件：106.7 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBD2030-HF	文件：106.63 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDSUA2030-C	文件：177.86 Kbytes Page：2 Pages	CDSUASeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CDSUA2030-C	文件：239.09 Kbytes Page：2 Pages	CDSUASeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CDSUA2030-C-S	文件：177.86 Kbytes Page：2 Pages	CDSUASeries	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CEM2030A	文件：847.1 Kbytes Page：9 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■-20V,-4.3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CGY2030M	文件：93.68 Kbytes Page：12 Pages	DECT500mWpoweramplifier GENERALDESCRIPTION TheCGY2030MisaGaAsMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)poweramplifierspecificallydesignedtooperateat3.6Vbatterysupply.Whenpowercontrolisnotrequired,itcanbeoperatedwithoutnegativesupplyvoltage. FEATURES •PowerAmplifier(PA)overalleff	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CHM2030JPT	文件：322.86 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE20VoltsCURRENT6Ampere P-channel:VOLTAGE20VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomoto	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	2030WOZTQO	INTEL		BGA	6000	原装现货,长期供应,终端可账期	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2031	Infineo	2339+	SOP8	4326	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2031	TFK	23+	DIP8	1015	特价库存	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	2031	原厂	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
上海金庆电子技术有限公司	2031	KeystoneElectronics	新		598	全新原装货期两周	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	2031	N/A	21+	MSOP10	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
上海市鑫鸿达电子	2031	Keystone Electronics	2022+		594	全新原装货期两周	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2031	TI	1709+	SOP8	17500	普通	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	2031	NA	21+	SOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多2030WOZTQO供应商更新时间2024-5-16 10:06:00

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