选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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新电源TO-220F |
5915 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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TO-220F新电源 |
6000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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新电源TO-220F |
5915 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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ITO-220 |
10000 |
全新 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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新电源TO-220F |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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SHINDENGETO-TO-220F |
35400 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscTO-220F |
3500 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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SHIN |
65230 |
21+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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SHINDENGETO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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SHINDENGETO-TO-220F |
35400 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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SHINDENGETO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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新电源TO-220F |
2695 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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SHINDENGETO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SHIN原厂封装 |
4000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
59510 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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SHITO |
20000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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NIECITO-220 |
5000 |
22+ |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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SHINDENGENNew |
31867 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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SHINDENGE22+ |
6000 |
TO-220F |
十年配单,只做原装 |
2SC4234采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SC4234图片
2SC4234中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC4234制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(3A NPN)
2SC4234-7000功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7012功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7100功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7112功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
1200V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BU505F,MJE8502,2SC3050,2SC3532,2SC3559,2SC3752,2SC3979,
- 最大耗散功率:
45W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-26
- vtest:
1200
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
45