选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SHINDENG |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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SHINDENGTO-247 |
25000 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SHINDENGTO-247 |
900 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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SHINDENGTO-247 |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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SHINDENGTO-247 |
900 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TOSTO-3P |
9526 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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SHINDENGTO-247 |
4856 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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SHINDENGTO-3P |
15556 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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SHITO-247 |
9000 |
1408+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SHINDENGTO-3P |
3000 |
23+ |
特价库存 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-247 |
10000 |
全新 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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SHINDENGTO-247 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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SHINDENGTO-247 |
25000 |
22+ |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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SHINDENGTO-247 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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SHINDENGTO-247 |
900 |
1018+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SHIN原厂封装 |
4000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46290 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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SHITO |
20000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市利加科技有限公司7年
留言
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SANYOT0-3PL |
10000 |
16+ |
全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
2SC4235采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
2SC4235图片
2SC4235中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC4235制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
2SC4235-4100功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235-4112功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235-7100功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235-7112功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
1200V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BU706,2SC3322,2SC3387,2SC3533,2SC3642,2SC3980,2SC4426,
- 最大耗散功率:
80W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-26
- vtest:
1200
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
80