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1SV214	文件：111.27 Kbytes Page：2 Pages	BARIABLECAPACITANCEDIODE(TVTUNING) TVTuning •Highcapacitanceratio:C2V/C25V=6.5(typ.) •Lowseriesresistance:rs=0.4Ω(typ.) •ExcellentC-Vcharacteristics,andsmalltrackingerror. •Usefulforsmallsizetuner.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SV214	文件：34.08 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.5(Typ.) LowSeriesResistance:rs=0.4(Typ.) ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. UsefulforSmallSizeTuner.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SV214	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
1SV214	文件：61.05 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SV214	文件：45.04 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=6.5(Typ.) LowSeriesResistance:rs=0.4(Typ.) ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. UsefulforSmallSizeTuner.	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司	ZHAOXINGWEI
1SV214	文件：525.78 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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