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1SS413

HighSpeedSwitchingApplication

SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial Applications •High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

1SS413

SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE

SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE forhighspeedswitchingapplication

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

1SS413CT

SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial

Features (1)Lowforwardvoltage:VF(3)=0.50V(typ.) (2)Lowreversecurrent:IR=0.5µA(max) (3)Smalltotalcapacitance:Ct=3.9pF(typ.) Applications •High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多1SS413,L3F供应商 更新时间2024-4-29 15:20:00