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1SS388	文件：116.19 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERTYPE FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ.) •Lowreversecurrent:IR=5μA(typ.) •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) APPLICATIONS •Case:SOD-523plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,M	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1SS388	文件：235.66 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSWITCHINGDiodes FEATURES ●Smallpacakage ●Lowforwardvoltage:VF3=0.54(typ) ●Lowreversecurrent:IR=5uA(typ)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
1SS388	文件：217.02 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE forhighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1SS388	文件：218.06 Kbytes Page：2 Pages	45VoltsSwitchingDiode Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Highspeedswitchingdiode •Surfacemountpackage •Forgeneralpurposeswitchingapplications •Marking:S3 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1SS388	文件：95.36 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRERDIODE FEATURES: Smallpackage Lowforwardvoltage Lowrevesecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: LesdFinish:100MatteSn(Tin) MountingPosition:Any *QualifiedMaxReflowTemperature:260°C	EIC EIC	EIC
1SS388	文件：349.27 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●Lowforw	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS388	文件：228.2 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingApplication HighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=5μA(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS388	文件：652.3 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●Smallpacakage ●Lowforwardvoltage:VF3=0.54(typ) ●Lowreversecurrent:IR=5uA(typ)	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司	ZHAOXINGWEI
1SS388	文件：500.51 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●Smallpacakage ●Lowforwardvoltage ●Lowreversecurrent	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
1SS388	文件：386.57 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSwitchingDiode Features ◇Lowforwardvoltage. ◇Lowreversecurrent. ◇Smallpackage. Applications ◇High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS388	文件：230.66 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS388	文件：562.66 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSwitchingApplication ●HighSpeedSwitchingApplication Smallpacakage Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ) Lowreversecurrent:IR=5uA(typ)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
1SS388	文件：164.51 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedSWITCHINGDiode FEATURES ●Smallpacakage ●Lowforwardvoltage:VF3=0.54(typ) ●Lowreversecurrent:IR=5uA(typ)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1SS388	文件：267.36 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS388	文件：204.96 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE forhighspeedswitchingapplication	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1SS388	文件：473.49 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SCHOTTKYBARRIERDIODE Features： ◾SmallPacakage； ◾LowForwardVoltage； ◾LowReverseCurrent；	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
1SS388	文件：123.39 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(HGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION) HighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=5μA(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS388	文件：217.07 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS388	文件：249.91 Kbytes Page：3 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●Lowforwardvoltage. ●Lowreversecurrent. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●High-speedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS388	文件：174.3 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALSCHOTTKYBARRIERTYPE FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.54V(typ.) •Lowreversecurrent:IR=5μA(typ.) •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) APPLICATIONS •Case:SOD-523plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,M	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
1SS388(TL3,F,T)
功能描述：
肖特基二极管与整流器 Vr=40V Io=0.1A 2Pin
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1SS388(TL3,F,T)供应商更新时间2024-5-25 11:00:00

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