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GeneralPurposeRectifierApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
SiliconEpitaxialPlanarDiode Features ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(Typ.) ●Lowreversecurrent:IR=0.1nA(Typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(Typ.) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
DIODE(GENERALPURPOSERECTIFIERAPPLICATIONS) GeneralPurposeRectifierApplications ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=0.1nA(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(typ.) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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