1SS307(TE85L)技术资料参数贸易商东芝-114ic电子网

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1SS307	文件：109.18 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(GENERALPURPOSERECTIFIERAPPLICATIONS) GeneralPuroposeRectifierApplications ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(typ.) ●Lowreversecurrent:IR=10nA(max) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(typ.) ●Smallpackage:SC−59	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS307	文件：190.65 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPuroposeRectifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS307	文件：37.17 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarType Features ●Lowforwardvoltage:VF=1.0V(Typ) ●LowreverseCurrent:IR=0.1nA(Typ) ●Smalltotalcapacitance:CT=3.0pF(Typ)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SS307E	文件：163.78 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingDiodesSiliconEpitaxialPlanar	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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更多1SS307(TE85L)供应商更新时间2024-5-27 16:18:00