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1SS226	文件：655.81 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication Featrues ●Pb-FreePackageisAvailable. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
1SS226	文件：88.74 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE Features ●Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25°C) ●ForwardCurrent IF:100mA ●ReverseVoltage VR:80V ●Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1SS226	文件：219.91 Kbytes Page：3 Pages	150mWSWITCHINGDIODE	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1SS226	文件：250.5 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ◇Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS226	文件：347.45 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES Features: Fastspeedandshortreverserecoverytime; Forwardpressurereduction;	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司	SHENZHENSLS
1SS226	文件：974.58 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes FEATURES ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
1SS226	文件：1.42911 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime ●Smalltotalcapacitance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
1SS226	文件：180.88 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1SS226	文件：468.46 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitching Featrues ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.) ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
1SS226	文件：443.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime ●Smalltotalcapacitance	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

产品属性

产品编号：
1SS226,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对串联
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
125°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
描述：
PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3

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