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1SS181	文件：516.429 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES •Lowforwardvoltage VF(3)=0.92V(typ). •Fastswitching. •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS •Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS181	文件：198.34 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1SS181	文件：130.509 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(Typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(Typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=2.2pF(Typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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1SS181

文件：516.429 Kbytes

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Surfacemountswitchingdiode

FEATURES •Lowforwardvoltage VF(3)=0.92V(typ). •Fastswitching. •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS •Highspeedswitchingapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN

1SS181

文件：198.34 Kbytes

Page：3 Pages

UltraHighSpeedSwitchingApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

1SS181

文件：130.509 Kbytes

Page：2 Pages

DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS)

UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.92V(Typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(Typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=2.2pF(Typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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详细参数

型号：
1SS181(T
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 Diode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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更多1SS181(T供应商更新时间2025-6-25 11:37:00

详细参数

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