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VND1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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VND1NV04-E	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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VNS1NV04D	文件：244.38 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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VNS1NV04DP-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower™M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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更多1NV04DP供应商更新时间2024-6-13 10:20:00

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