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1N821	文件：36.7 Kbytes Page：4 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDSILICONZENERREFERENCEDIODES6.2V,400mW Temperature-CompensatedZenerReferenceDiodes Temperature-compensatedzenerreferencediodesutilizingasinglechipoxidepassivatedjunctionforlong-termvoltagestability.Arugged,glass-enclosed,hermeticallysealedstructure. TEMPERATURECOMPENSATEDSILICONZENERREFERENCEDIODES6.2V,4	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司
1N821	文件：28.82 Kbytes Page：5 Pages	Voltagereferencediodes DESCRIPTION Voltagereferencediodeinahermetically-sealedSOD68(DO-34)glasspackage. FEATURES •Temperaturecompensated •Referencevoltagerange:5.89to6.51V(typ.6.20V) •Lowtemperaturecoefficientrange:max.0.0005to0.01/K. APPLICATION •Voltagereferencesourcesinmeasur	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
1N821	文件：97.31 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •1N821UR-1,1N823UR-1,1N825UR-1,1N827UR-1AND1N829UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/159 •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •6.2AND6.55VOLTNOMINALZENERVOLTAGES •METALLURGICALLYBONDED,DOUBLEPLUGCONSTRU	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N821ATR	文件：238.31 Kbytes Page：3 Pages	6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N821AUR	文件：196.14 Kbytes Page：3 Pages	6.2&6.55VoltTemperatureCompensatedSurfaceMountZenerReferenceDiodes DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N821AUR	文件：844.3 Kbytes Page：4 Pages	TCZenerReferenceDiodeSeries	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.

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