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1N6817R	文件：140.81 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE 100 Volts 25 Amps Features • Tungsten schottky barrier • Oxide passivated structure • Guard ring protection for increased reverse energy capability • Epitaxial structure minimizes forward voltage drop • Hermetically sealed, low profile 文件：140.81 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N6817R	文件：300 bytes Page：1 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE	Microchip 微芯科技	Microchip
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