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1N6815R	文件：76.45 Kbytes Page：2 Pages	LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE Features • Tungsten/Platinum schottky barrier for very low VF • Oxide passivated structure for very low leakage currents • Guard ring protection for increased reverse energy capability • Epitaxial structure minimizes forward voltage drop • Hermetically sealed, low profile ceramic surface moun 文件：76.45 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
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