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1N6625US中文资料Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode数据手册Semtech规格书

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厂商型号

1N6625US

参数属性

1N6625US 封装/外壳为SQ-MELF,A;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

功能描述

Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

封装外壳

SQ-MELF,A

制造商

Semtech SEMTECH ELECTRONICS LTD.

中文名称

先之科 先之科半导体科技(东莞)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:07:00

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技术参数

  • 产品编号:

    1N6625US

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    10pF @ 10V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,A

  • 供应商器件封装:

    A-MELF

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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