1N6624US中文资料Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode数据手册Semtech规格书

厂商型号 |
1N6624US |
参数属性 | 1N6624US 封装/外壳为SQ-MELF,A;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF |
功能描述 | Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode |
封装外壳 | SQ-MELF,A |
制造商 | Semtech SEMTECH ELECTRONICS LTD. |
中文名称 | 先之科 先之科半导体科技(东莞)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 16:50:00 |
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技术参数
- 产品编号:
1N6624US
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
散装
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
10pF @ 10V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SQ-MELF,A
- 供应商器件封装:
A-MELF
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
25+23+ |
MELF |
8497 |
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ST |
23+ |
DIP(DO-41) |
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MICROCHIP |
23+ |
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MSCI |
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MSCI |
专业军工 |
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ST |
25+ |
DIP(DO-41) |
16900 |
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