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1N6463US/TR

Package:SQ-MELF,B;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC B SQ-MELF

Microchip

微芯科技

1N6463

HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.

FEATURES • HIGH SURGE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FORMOST CRITICAL CIRCUITS. • TRIPLE LAYER PASSIVATION. • SUBMINIATURE. • METALLURGICAILY BONDED. • VOIDLESS HERMETICALLY SEALED GLASS PACKAGE. • DYNAMIC IMPEDANCE AND REVERSE LEAKAGELOWEST AVAILABLE. • JAN/TX/TXV TYPES AVAILABLE P

文件:68.01 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

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TRANSEINT SUPPRESSOR

DESCRIPTION This series of industry recognized voidless-hermetically-sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) designs is military qualified to MIL-PRF- 19500/551 and are ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. They provide a Working Peak “Stand

文件:74.73 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

1N6463

TRANSIENT SUPPRESSORS

FEATURES • HIGH SURGE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FORMOST CRITICAL CIRCUITS. • TRIPLE LAYER PASSIVATION. • SUBMINIATURE. • METALLURGICAILY BONDED. • VOIDLESS HERMETICALLY SEALED GLASS PACKAGE. • DYNAMIC IMPEDANCE AND REVERSE LEAKAGELOWEST AVAILABLE. • JAN/TX/TXV TYPES AVAILABLE P

文件:63.17 Kbytes 页数:2 Pages

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产品属性

  • 产品编号:

    1N6463US/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    12V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    13.6V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    22.6V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    125A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    500W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,B

  • 供应商器件封装:

    B,SQ-MELF

  • 描述:

    TVS DIODE 12VWM 22.6VC B SQ-MELF

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更多1N6463US/TR供应商 更新时间2025-10-13 15:05:00