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1N60L-TN3-R	文件：143.99 Kbytes Page：8 Pages	1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in pow 文件：143.99 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
1N60L-TN3-R	文件：267.95 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT 文件：267.95 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
1N60L-TN3-R	文件：361.67 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：361.67 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
1N60L-TN3-R	文件：282.69 Kbytes Page：6 Pages	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：282.69 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
1N60L-TN3-R	文件：1.08647 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08647 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
1N60L-TN3-R
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

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更多1N60L-TN3-R供应商更新时间2025-12-1 16:18:00

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