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1N6042A	文件：107.63 Kbytes Page：2 Pages	BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER DESCRIPTION ThispopularTransientVoltageSuppressor(TVS)seriesfor1N6036thru1N6072AareJEDECregisteredselectionsforbidirectionaldevices.AllhavethesamehighPeakPulsePowerratingof1500Wwithextremelyfastresponsetimes.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N6042A	文件：197.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1N6042A	文件：297.39 Kbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSOR DIODES BIDIRECTIONALTRANSIENTSUPPRESSORDIODES MAXIMUMRATINGS POWERDISSIPATION1500Watts@25°C tCLAMPING(0VOLTSTOV(BR)MIN)Lessthan5x10-9seconds OPERATINGTEMPERATURE-65°Cto+175°C STEADYSTATEPOWERDISSIPATIO	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N6042A	文件：147.93 Kbytes Page：2 Pages	1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N6042A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO13	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N6042A/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO13	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
1N6042A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
11V
电压 - 击穿（最小值）：
12.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
18.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
82A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-13
描述：
TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO13

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