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1N5938A	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5938A	文件：288.18 Kbytes Page：3 Pages	POWERDISSIPATION:1.5W Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5938A	文件：93.62 Kbytes Page：1 Pages	1.5WATTSZENERDIODES 1.5WATTSZENERDIODES 3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5938A	文件：122.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5938B	文件：378.51 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadAxialLead Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●RoHScompliant ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5938B	文件：137.12 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5938B	文件：240.79 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes VZ:5.6to200V PD:1.5W Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuits withhighpowerrating MechanicalData ●Case:Moldedp	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
1N5938B	文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages	Axial-Leaded1.5Wattdiodes Axial-Leaded1.5Wattdiodes	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
1N5938B	文件：451.06 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODEVOLTAGE-11TO200Volts FEATURES ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Glasspassivatedjunction ●Lowinductance ●TypicalIRlessthan1£gAabove11V ●Hightemperaturesoldering:260℃/10secondsatterminals ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassificati	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5938B	文件：346.85 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

产品属性

产品编号：
1N5938B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41G
描述：
DIODE ZENER 1.5W DO-41G

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更多1N5938B-TP供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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