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1N5936B	文件：124.07 Kbytes Page：4 Pages	1.5WattZenerDiode11to200Volts Features •GlassPassivatedJunction •LowProfilePackage •LowInductance •Built-inStrainRelief	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5936B	文件：105.54 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5936B	文件：56.43 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5936B	文件：225.1 Kbytes Page：3 Pages	3WSILICONZENERDIODES 3WSILICONZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5936B	文件：49.4 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5936B	文件：113.52 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V) Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5936B	文件：89.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICON1.5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5936B	文件：227.56 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5936B	文件：226.8 Kbytes Page：3 Pages	Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5936B	文件：81.95 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11TO200VoltsPower-1.5Watts) VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5936B	文件：204.72 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5936B	文件：157.75 Kbytes Page：2 Pages	1.5WSILICONZENERDIODE VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES Zenervoltage3.3Vto200V Withstandslargesurgestresses	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N5936B	文件：422.798 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5936B	文件：346.85 Kbytes Page：2 Pages	1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5936B	文件：127.38 Kbytes Page：2 Pages	1.5WATTSILICONZENERDIODE FEATURES ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORYFLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 ●LOWZENERIMPEDANCE ●EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY MECHANICALDATA ●CASE:MOLDEDPLASTIC,DO41,DIMENSIONSININCHESAND(MILLIMETERS) ●TERMINALS:AXIALLEADSSOLDERABLEPERMIL-STD-20	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5936B	文件：53.8 Kbytes Page：1 Pages	ZENERDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5936B	文件：70.14 Kbytes Page：8 Pages	3WDO??1SurmeticTM30ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof3WZenerdiodeswithlimitsandexcellentoperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxial−lead, transfer−moldedplasticpackagethatoffersprotectioninallcommonenvironmentalcondition	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5936B	文件：171.88 Kbytes Page：4 Pages	1.5WZenerDiodes Features •LowProfilePackage •1.5WPowerDissipation •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighStability •ZenerVoltagefrom3.3Vto56V •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N5936B	文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages	Axial-Leaded1.5Wattdiodes Axial-Leaded1.5Wattdiodes	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
1N5936B	文件：530.27 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode ■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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详细参数

型号：
1N5936BRL
功能描述：
稳压二极管 30V 3W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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