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1N5820-TB	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5820-TP	文件：489.35 Kbytes Page：4 Pages	3AmpSchottkyBarrierRectifier20-40Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •EpoxymeetsUL94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5820TR	文件：119.74 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,3.0A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5820TR	文件：80.24 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,3.0A FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Verysmallconductionlosses •Extremelyfastswitching •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5820U	文件：708.74 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
1N5820US	文件：1.14577 Mbytes Page：8 Pages	3AmpSQ-MELFSchottkyBarrierRectifiers DESCRIPTION Thisseriesof3ampSchottkyrectifiersarecompactintheirsquareMELFpackagingforhighdensitymounting.The1N5822USand1N6864USaremilitaryqualifiedforhigh-reliabilityapplications. FEATURES •JEDECregisteredsurfacemountequivalentsof1N5820–1N5822and1N6864nu	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5820US	文件：39.91 Kbytes Page：2 Pages	3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5822USAVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/620 •3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED,DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N5820US	文件：46.58 Kbytes Page：2 Pages	3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5822USAVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/620 •3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED,DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
H1N5820	文件：33.29 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability MechanicalData •Cases:DO-201ADmoldedplastic. •Epoxy:UL94V-0rateflameretardant. •Lead:Axialleads,solderableperMIL-STD-202,Method208guaranteed. •Polarity:Co	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
VS-1N5820	文件：117.75 Kbytes Page：6 Pages	Highfrequencyoperation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
1N5820_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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